[CBC뉴스] 삼성전자가 인공지능(AI) 에이전트 시대를 겨냥해 메모리 기술 혁신 전략을 공개했다. 미국 캘리포니아주 샌타클라라에서 열린 'AI 인프라 서밋'에서 김인동 삼성전자 미주총괄법인(DSA) 메모리 상품기획 담당 상무는 zHBM 및 z낸드-O 등 차세대 메모리 솔루션을 소개하며 AI 시스템의 성능 향상 방안을 제시했다.
김인동 상무는 기존 2.5D 방식에서 벗어나 AI 가속기 상단에 고대역폭 메모리(HBM)를 직접 적층하는 'zHBM' 구조를 강조했다. 이 방식은 데이터 이동 거리와 지연 시간을 크게 줄일 수 있으며, HBM5 대비 최대 8배 성능과 3배 이상의 전력 효율을 제공할 수 있다고 설명했다. 또한, AI 가속기에서 발생하는 열이 메모리로 전해지는 발열 문제는 고객사와의 초기 공동 설계 체계를 통해 해결할 계획임을 밝혔다.
발표에 따르면, 현재 대화형 AI 시스템의 응답속도는 이용자당 초당 100토큰 수준이지만, 삼성전자는 zHBM 도입으로 이를 10배인 초당 1천 토큰까지 높이는 것을 목표로 하고 있다. 김 상무는 이 같은 변화를 "호텔 객실 내에 1층 로비로 직행하는 전용 엘리베이터"에 비유하며, zHBM이 AI 시스템의 응답 속도 혁신에 핵심 역할을 할 것이라고 말했다.
삼성전자는 온디바이스 AI 시장을 겨냥한 3차원(3D) 낸드플래시 기반 저장장치 'z낸드-O'의 로드맵도 공개했다. 김 상무는 2030년에는 AI 워크스테이션 등에서도 매개변수 1조 개 수준의 거대 AI가 자체 구동되는 사례가 보편화할 것으로 전망하며, D램만으로는 큰 비용이 들지만 z낸드-O를 적용하면 6분의 1 비용으로 구현이 가능하다고 밝혔다. z낸드-O의 샘플 공급은 2028년에 시작될 예정이다.
김인동 상무는 "AI 반도체 경쟁에서 시장 출시 속도가 핵심"이라며, z낸드-O와 같은 혁신 솔루션이 고객사에 독보적 가치를 제공할 것이라고 덧붙였다.
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▮ CBC뉴스ㅣCBCNEWS 하영수 기자
