● 2026-09-30
넷리스트, 마이크론 HBM3E·HBM4 특허침해 ITC 소송 제기

미국 반도체 기업 넷리스트가 마이크론을 상대로 미국 국제무역위원회(ITC)에 특허 침해 소송을 제기했다.

넷리스트는 성명을 통해 자사의 2개 특허가 마이크론의 HBM3E, HBM4, HBM4E 제품에 적용된다며 ITC에 특허 침해 여부 조사를 요청했다고 밝혔다. 이와 별도로 넷리스트는 지난달 11일에도 마이크론의 DDR5DIMMs와 MRDIMMs가 자사의 4건 특허를 침해했다며 ITC에 소송을 제기한 바 있다.

로이터 통신에 따르면, 넷리스트는 2024년 텍사스주 마셜 연방법원에서 마이크론을 상대로 한 특허 침해 소송에서 4억4500만달러(6020억원)의 배상 평결을 받은 것으로 전해졌다.

 ● 2026-09-29
2027년 HBM 평균판매가격, 121% 급등 전망…공급 제약·HBM4 비중 확대 영향

시장조사업체 트렌드포스가 내년 고대역폭메모리(HBM) 평균판매가격이 올해보다 2배 이상 상승할 것으로 내다봤다.

트렌드포스는 29일 HBM4(6세대) 제품 비중 확대와 공급 제약이 지속됨에 따라 2027년 HBM 가격 전망치를 상향 조정했다고 밝혔다. 2027년 HBM의 제품별 판매 비중을 반영한 평균판매가격(Blended ASP)이 전년 대비 121% 오를 것으로 전망했다.

AI 서버와 인프라 수요가 계속 늘어나면서 HBM과 범용 D램은 첨단공정과 웨이퍼 생산능력을 두고 경쟁이 이어지고 있다. 이로 인해 내년까지 메모리 공급 부족 현상이 지속될 것으로 분석됐다.

트렌드포스에 따르면, 최근 그래픽처리장치(GPU)와 주문형반도체(ASIC) 제조업체들은 HBM 공급 제한과 시스템 구축 비용 증가에 대응해 칩당 HBM 탑재 용량을 줄이는 방안을 검토하고 있다. 이에 따라 12단 제품보다 비용이 적게 들고 부품 원가 절감에 유리한 8단 제품을 우선 적용하는 방안이 논의되고 있다.

그러나 D램 적층 수가 줄어도 베이스 다이 비용이 감소하지 않아, 8단 제품의 기가비트(Gb)당 생산 원가는 12단 제품보다 더 높은 것으로 나타났다. 이에 따라 2027년 8단 HBM의 Gb당 판매가격은 12단 제품보다 약 10∼20% 높게 형성될 것으로 전망됐다.

트렌드포스는 "HBM의 공급 가능 물량과 비용 상승이 구매 결정에 영향을 미치면서 더 많은 GPU·ASIC 제조업체가 8단 제품 도입을 검토하고, 실제 적용 비중도 확대될 것으로 예상된다"고 밝혔다.

 ● 2026-09-21
한미글로벌, SK하이닉스 인디애나 HBM 공장 PM 수주…미국 첫 AI 생산기지 40억달러 투입

SK하이닉스가 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 고대역폭메모리(HBM) 패키징 공장을 건설하고 있으며, 한미글로벌이 이 사업의 건설사업관리(PM) 용역을 맡고 있다.

이 공장은 SK하이닉스가 미국에서 처음으로 구축하는 인공지능(AI) 메모리 생산거점이다. 총 40억달러 이상의 투자가 이뤄지며, 지난 3월 터파기 공사가 시작됐다. 클린룸 완공 목표 시점은 2028년 10월이다.

한미글로벌은 2024년 8월부터 착공 전 단계인 프리콘(Pre-Construction)에 참여해왔으며, 클린룸 완공까지 설계, 공정, 원가, 품질, 안전, 리스크 관리 등 다양한 분야를 담당한다.

SK하이닉스는 지난달 27일 웨스트라피엣 퍼듀대학교에서 AI 메모리용 첨단 패키징 생산기지 기공식을 개최했다.

 ● 2026-09-17
인텔·오픈AI "CXL, HBM 대체 어렵다"…삼성·SK하이닉스 독주 지속 전망

AI 인프라 분야에서 고대역폭 메모리(HBM)의 영향력이 당분간 지속될 것으로 보인다.

미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 16일 개최된 'AI 인프라 서밋' 패널 토의에서는 인텔과 오픈AI 소속 기술진이 HBM을 대체할 기술로 주목받던 컴퓨트익스프레스링크(CXL)에 대해 회의적인 입장을 밝혔다. CXL은 AI 가속기와 메모리의 효율적 연결을 목표로 하는 차세대 규격이다. 반도체 업계 일부에서는 CXL이 도입되면 HBM의 가격 부담을 줄이고 AI 서버 구축 비용 절감에 기여할 것으로 기대해왔다.

하지만 오픈AI의 대니얼 모리스 연구원은 패널 토론에서 실제 AI 모델 구동 현장에서는 CXL의 활용도가 크지 않다고 말했다. 그는 CXL이 주로 대형 모델에서 자주 사용되지 않는 데이터를 따로 저장하는 데에만 쓰일 수 있다고 언급하며, 실제 모델 구동에 특화된 사례를 보지 못했다고 설명했다.

인텔의 비디아 티아가라잔 시스템온칩(SoC) 아키텍처 총괄 역시 CXL을 통한 메모리 연결이 HBM을 대체하는 수준이 아니라고 평가했다. 그는 CXL이 보조기억장치 보완에는 도움이 될 수 있지만, GPU와의 데이터 전송 속도 면에서 HBM에 미치지 못한다고 지적했다. 대역폭 차이로 인해 CXL이 HBM의 역할을 대신하기 어렵다는 의견이다.

이 같은 전문가들의 견해에 따라, 삼성전자와 SK하이닉스가 주도하는 글로벌 HBM 시장의 독점적 지위는 앞으로도 이어질 가능성이 높다.

 ● 2026-09-03
삼성전자, 2분기 HBM 점유율 33% 'SK하이닉스와 격차 좁혀'

삼성전자가 올해 2분기 글로벌 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 점유율을 크게 높이며 SK하이닉스와의 격차를 줄였다.

시장조사업체 카운터포인트리서치의 자료에 따르면, SK하이닉스는 2분기 매출 기준 HBM 시장 점유율 50%로 1위를 유지했다. 그러나 전 분기 58%에서 8%포인트 하락한 수치다. 반면 삼성전자는 1분기 21%였던 점유율이 2분기에는 33%로 12%포인트 상승했다. 마이크론은 18%로 3위를 기록했으며, 전 분기 21%에 비해 소폭 감소했다.

현재 HBM 시장 매출의 대부분은 5세대 제품인 HBM3E에서 발생하고 있다. 6세대 HBM4 제품의 출하는 올해 하반기부터 본격적으로 시작될 것으로 카운터포인트리서치는 밝혔다.

카운터포인트리서치는 삼성전자가 HBM4 출하를 본격화함에 따라 점유율이 점진적으로 더 확대될 것으로 전망했다.

 ● 2026-09-01
CXMT, HBM3E 소량 생산…내년 확대 계획·알리바바 등 제품 테스트

중국의 메모리 반도체 기업 창신메모리테크놀로지스(CXMT)가 첨단 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E를 소량 생산 중이며, 내년에 생산 확대를 계획하고 있는 것으로 알려졌다.

IT 전문매체 디인포메이션은 두 명의 소식통을 인용해, CXMT가 HBM3E를 이미 생산하고 있으며, 중국 팹리스 기업인 알리바바 자회사 T헤드와 캠브리콘 테크놀로지가 자사 프로세서와 결합해 CXMT의 HBM3E를 테스트하고 있다고 전했다. 이들 팹리스의 주문은 CXMT가 HBM 양산에 필요한 제조 경험과 고객 피드백을 얻는 데 도움이 되고 있다는 설명이다. 계획대로라면 이르면 내년부터 이 HBM3E가 탑재된 제품이 출시될 전망이다.

현재 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 글로벌 '빅3' 업체들이 이미 HBM3E 양산에 돌입했으며, 차세대 HBM4와 고속 버전 HBM4E 샘플도 공급하고 있다. SK하이닉스는 2024년 HBM3E 양산을 시작했다. CXMT의 HBM 생산은 이들 선두 업체보다 한 세대 뒤처진 것으로 평가된다. 또한, CXMT는 낮은 수율 문제와 함께 HBM 기술에서 선두 업체들과 3~5년의 격차가 있는 것으로 전해졌다.

미국 정부는 2024년 중국에 대한 첨단 HBM 수출을 제한했고, 중국 기업들은 낮은 사양의 메모리 구매에도 미국의 승인을 받아야 하는 상황이다. CXMT 역시 미국의 규제로 인해 첨단 해외 장비 도입에 제약을 받고 있다.

T헤드와 캠브리콘은 CXMT의 HBM이 빅3 제품에 비해 신뢰성과 속도 면에서 뒤처지지만, 자사 프로세서와의 호환성을 높이기 위한 방안을 연구 중인 것으로 전해졌다.

한편, CXMT는 지난달 상하이 증시 상장을 통해 86억달러(약 11조8000억원)를 조달했다.

 ● 2026-08-28
SK하이닉스, 美 인디애나에 첫 HBM 공장 기공…40억달러 투자·2029년 양산 돌입

SK하이닉스가 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 첨단 고대역폭 메모리(HBM) 생산을 위한 어드밴스드 패키징 공장(팹) 건설에 착수했다.

이 공장은 SK하이닉스가 미국에 처음으로 세우는 생산기지로, 2028년 10월 클린룸 완공 후 이듬해 하반기부터 HBM 양산을 목표로 하고 있다. 연간 수십만장 규모의 D램 웨이퍼가 이곳에서 HBM으로 가공될 예정이다. SK하이닉스가 미국에서 HBM을 생산하는 것은 이번이 처음이며, 엔비디아 등 미국 빅테크 기업들이 이 공장에서 생산된 '메이드 인 USA' HBM을 사용하게 된다.

SK하이닉스는 인디애나 팹 건설에 약 40억달러를 투자한다. 미국 정부는 반도체법(Chips Act)에 따라 최대 4억5000만달러의 보조금과 5억달러의 대출을 지원한다. 인디애나 팹에서는 한국에서 생산된 D램 칩을 활용해 HBM을 만드는 어드밴스드 패키징과 차세대 HBM 연구·개발(R&D)이 동시에 진행된다. 공장이 본격적으로 가동되면 약 1000명의 인력이 근무하게 되며, 협력 소재·부품·장비 공급망을 포함해 약 7000개의 직·간접 일자리 창출이 예상된다.

SK하이닉스는 차세대 HBM 개발과 테스트를 위해 미국 퍼듀대학교와 R&D 강화 양해각서(MOU)를 체결했다. 퍼듀대 부지에 건설되는 이 공장은 우수 인재 유치에도 활용될 계획이다. 현재 SK하이닉스가 생산하는 최신 HBM은 6세대(HBM4)로, 엔비디아의 AI 가속기 '베라 루빈'에도 탑재된다. SK하이닉스는 차세대 7세대(HBM4E) HBM도 개발 중이다.

곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장은 인디애나 프로젝트가 미국 내 최초 HBM 생산 거점이 될 것이라고 밝혔다. 곽 사장은 "메이드 인 USA HBM을 처음 공급하는 핵심 거점이자, 미 반도체 공급망을 강화하고 경제·안보에 기여하는 주요 기반이 될 것"이라고 말했다. 곽 사장은 팹 건설·운영 인력과 공급망을 포함해 약 7000명의 일자리 창출이 기대된다고도 설명했다.

이날 기공식에는 곽노정 대표이사, 강경화 주미한국대사, 마이크 브런 인디애나 주지사, 토드 영 연방 상원의원 등 주요 인사가 참석했다.

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